碳化矽(Silicon Carbide/SiC)

 

碳化矽(SiC)是一種優質的人造陶瓷材料,具有優異的物理特性,廣泛應用於半導體、耐熱材料等領域。以下為碳化矽的主要性能參數:

物理性質
比重(Specific Gravity, S.G.): 約3.2 g/cm3 
孔隙率(Porosity): 低於20% 
維氏硬度(Vickers Hardness): 2500-3000 HV 
彎曲強度(Flexural Strength): 300-700 MPa 
抗壓強度(Compressive Strength): 2000-4000 MPa 
楊氏模量(Young's Modulus): 400-450 GPa 
斷裂韌性(Fracture Toughness): 3-5 MPa√m

熱性質
線性熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion):
40~400°C: 約 4.0×10^-6/°C  
0~800°C: 約 5.0×10^-6/°C7
熱傳導率(Thermal Conductivity): 60-180 W/m•K 7
比熱(Specific Heat): 600-800 J/kg•K 

電氣性質
介電強度/電阻率(Dielectric Strength): >10 KV/mm
體積電阻率(Volume Resistivity):
20°C: >10^10 Ω•cm 
500°C: >10^5 Ω•cm 
介電常數(Permittivity)@1MHz: 9.7 C^2/(N•m^2) 
介質損耗角(Dielectric Loss Angle)@1MHz: <10^-4
 
碳化矽憑藉卓越的熱穩定性、高強度和硬度、優良的絕緣性等特性,被廣泛應用於半導體器件製作、耐磨耐熱元件、核反應堆結構材料等領域。